温克斯托夫
Epitaktische III-V-Photonik-Wafer
liefernHodhleistungser,Melderundandeopelequetrische III-V-Halbleiblebaelemente,demSiemitunserengleibendtigenEptiaxiewaferne
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i-V-Photonik-Wafer-Fahigkeiten
贝济亨2Zoll+6ZollWa
Geratyp |
基础材料 |
Werkstofffähigkeit |
Wafer-Durchmesser |
EpiLaser VCSELELLED |
GAs |
AlGaAs/GaAs/InGaP/GaAs/InGaP |
双ZU150毫米 |
InP |
P/InGAs、InGASP、InALAs、InALGAs |
双ZU100毫米 |
|
Epi检测器 P-i-N,APD |
GAs |
AlGaAs/GaAs/InGaP/GaAs |
双ZU150毫米 |
InP |
P/InGAs,InGASP,InGAAss |
双ZU100毫米 |
|
EpiSolarTM 1J2J3J4J |
GASGE |
GaP/GaAs/InGaAs |
双ZU150毫米 |
InP |
P/InGAs、InGASP、InALAs、InALGAs |
双ZU100毫米 |
万万特普罗杜克特
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