基底非Epicaxieau

sicfur死列松塞列克特龙科

Stellen Sie MOSFETs,IGBTsunde Compentenfr Hochteeratur-undHoclegenz-Leistungselektrnik

unselede Defektichteeeenehheqenität,einehvorragendeKristallqualitatundeneheWarmelitfegkeitausundermöchen

N-TypSiliziumkarbidWerkstoff-Eigenschaften

半岛综合体育俱乐部官网首页下载coerent Verbessertkunierlich死

N-TypSiliziumkarbidWerkstoff-Eigenschaften

ysikalischeEigenschaften

struktur

塞克塞基格市

Durchmeser

Biszu200毫米

等级划分

原创语 Entwicklung语机

sermischeEigenschaften

Wärmeleitfähigkeit

370(W/mK)bei Raumtepratur

Wärmeausdehnungskoeffizient

45x106/K

speifscheWärme(25°C)

0.71(J/g°C)

半岛综合体育俱乐部官网首页下载微信EigenschaftenvoncoerentSIC-Substraten

参数

N-Typ

多边化

6H

道代斯特夫

死板

宽站

> 1019Om-cm

澳里东市

4摄氏度

劳希格凯特

< 5O

Versetzungsdichte

3000cm-2

Mikorohrdichte

< 10cm-2

Baidu
map