InP-Optoelektronik

Verwenden Sie死In-BasierLaser,Gerate undFotodioproduktefrd

ErhaltenSie100mWungekhulteAusgangsleistungund300mWAusgsleistungi200Gbit/spurfurhuderneO-Band-Transiverzuermöglich

Verwenden Sie死历13XX-nm-Laserdiochips

Verwenden Sie diese Laserdiochipszum von TranscevernunderenkmunikationskomponentenfurO-Band-Glassernetzwerke

Verwenden-Sie死法布里-Perot非分布反馈-Laserdiochips,umopische转发器und

Verwenden Sie死前置电机Gerate,umkoponentenfr28GBDPAM4-modulate(56Gbit/sBitrate)Oder 56GdPAM4-modulate(112Gbit/sBitrate)zu

Verwenden Sie死后chen Gerätezur Kanalüberwachung überallim 1270-1620nm-Wellenlängenbereich

Wählen Sieeine标准groiflechen-Fotiodezur Kanalüberwachungimgesamten1270-1620nm-WellenlängenbereichundbellierenSievonem

VerwendenSie死区13XX-nm-Fordioden-Arra-Crips insteckberen Transivern死区28Gb/sNRZoder56Gbit/s

des Versprechen-Herausforderung-vonWasserstoff-Brennstoffzelen

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