SIC电源设备模块

裸死卡尔比德MOSFETs

电源电子应用最强使用SIC非对称效率、频率、温度和电压能力

半岛综合体育俱乐部官网首页下载协同SiC裸死MOSFETs使用验证技术平台(GE航空系统认证)提供行业领先FIT率AEC-Q101汽车应用评分并提供唯一200摄氏接合温度

裸死卡尔比德MOSFETs特征

  • 高压低RDS达200摄氏度

  • 快速切换超低门阻抗

  • 极低温度不变交换损耗

  • 雪崩坚固优于硅

  • 快速恢复体二极管同步校正

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